半导体是现代技术的基础。它们存在于日常电子设备中,如汽车、笔记本电脑、医疗设备和智能手机。

半导体是一种材料,通常是硅,可以作为导体或绝缘体,并为计算机和其他电子设备提供基础。该术语现已被广泛与集成电路联系在一起。

使电流流动的材料是导体,而减少电流流动的物质称为绝缘体。半导体介于导体和绝缘体之间。半导体可以在需要时阻断和导电,起到开关的作用。

随着智能手机和计算机等技术的发展,半导体的重要性在近几十年中不断提升。随着技术扩展到现代生活的各个领域,全球经济越来越依赖稳定的先进芯片供应。随着人工智能、电动汽车、风力涡轮机以及5G网络的发展等技术的出现,半导体成为创新的基础,使得晶体管、集成电路和用于存储数据、控制电子信号和处理信息的组件成为创新的基础。

半导体的早期发展(19世纪-1940年代)

尽管第一个实用半导体直到1947年由约翰·巴丁、沃尔特·布拉坦和威廉·肖克利在贝尔实验室发明,但可追溯到19世纪初的早期发展和观察,是半导体诞生的基石。

  • 1821年,德国物理学家托马斯·约翰·塞贝克发现两种不同金属之间的温差可以产生电压。这一现象被称为塞贝克效应,通过突出不同材料不同性质及其对温度的响应,间接促进了半导体的发明。
  • 1833年,英国科学家迈克尔·法拉第,电容单位法拉德(F)的命名者,在研究过程中发现硫化银的电导率随着温度升高而增加。这是人们首次记录半导体效应。
  • 1874年,德国电气工程师卡尔·费迪南德·布劳恩发现了第一个半导体整流效应;将交流电(AC)重新定向为直流电(DC)的过程。这些发现为半导体产业的诞生奠定了理论基础。
  • 1901年,印度物理学教授贾加迪什·钱德拉·玻色申请了首个利用晶体探测无线电波的半导体整流器专利。
  • 1906年,李·德福雷斯特发明了三极管真空管——或称Audion——增强了微弱信号并控制了电流流动。Audion为无线电和电话技术铺平了道路。
  • 1927年,美国电气工程师朱利叶斯·利连费尔德申请了场效应半导体器件的专利。该器件基于硫化铜的半导体特性。
  • 1930年,20世纪30年代量子力学的出现奠定了半导体的理论基础,并解释了如何操控材料以制造集成电路等器件。1931年,艾伦·威尔逊出版了《电子半导体理论》。
  • 1940年,Russell Ohl发现了p-n结(即p型和n型半导体的连接)以及硅中的光伏效应。这一发现揭示了硅独特的电学特性,这些特性对晶体管的制造至关重要。

晶体管的发明

1947年,贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布拉坦和威廉·肖克利发明了点接触晶体管,标志着半导体诞生的重要时刻。

这一首个功能性晶体管为贝尔实验室团队赢得了1956年诺贝尔物理学奖。该奖项表彰了他们“半导体研究及晶体管效应的发现”。这个小型装置能够操控电信号,改变电子领域的格局,这种影响我们至今仍在经历。

晶体管由锗基座、两个金箔触点和一个塑料三角形组成,将每个元件固定在一起。它作为电子开关,放大电信号,工作功率远低于真空管。

点接触晶体管的发明在半导体历史上具有重要意义。晶体管是现代计算机的基础,推动了电子设备的微型化。

转向硅

虽然锗曾用于早期晶体管,但硅的使用标志着半导体历史上的关键时刻。在20世纪50年代之前,由于硅的不稳定性,锗被用来取代硅,包括以下原因:

  • 高反应性,碱基强
  • 暴露在空气中时会发生氧化
  • 对电离辐射敏感
  • 对电磁干扰的敏感性
  • 热膨胀

尽管这些不稳定的特性最初促使制造商转向锗,但最终硅的丰富性和低成本使其成为工业中有效的材料。1954年,贝尔实验室化学家莫里斯·塔嫩鲍姆使用生长结技术——一种在制造过程中将P型和N型杂质混合成单晶的技术——制造出了第一个硅晶体管。同年晚些时候,德州仪器的戈登·蒂尔独立制造了首个商业硅晶体管。虽然塔嫩鲍姆是硅晶体管的首位发明者,但商业化该发明的是德州仪器

著名的是,在1954年无线电工程师学会全国会议上,戈登·蒂尔宣布:“与我的同事们说硅晶体管前景黯淡相反,我口袋里恰好有几个晶体管。”

虽然硅存在一些挑战,但它相比锗具有多项优势,包括:

  • 更优的氧化物形成能力(这对集成电路至关重要)
  • 自然界的丰度更高
  • 更高的热稳定性
  • 更稳定、更可预测的电性质
  • 能承受更高的电压

尽管德州仪器很快与雷神等公司合作商业化硅晶体管,但其早期起步使公司确立了半导体行业的重要地位。

集成电路的发展

1958年,德州仪器的杰克·基尔比和飞兆的罗伯特·诺伊斯开发了第一批集成电路(IC)。这促使它们在1960年代被广泛采用并商业生产。

集成电路是将晶体管、电阻和电容等元件集成到一个半导体材料上的小型器件。1958年之前,真空管被用来替代集成电路,但这些电子管空间效率低,且运行需要大量功率。

集成电路有许多关键优势,包括以下几点:

  • 成本效益高
  • 可靠性提升
  • 设计灵活性更大
  • 性能提升
  • 节省空间

1965年,英特尔联合创始人戈登·摩尔提出了摩尔定律。摩尔观察到,每隔24个月,集成电路上的晶体管数量翻倍,而成本则减半。这一观察具有相关性,因为它展示了半导体进步的速度,并推动了半导体行业的投资。如今,尽管节奏稍有放缓,但观察依然大体准确。

微处理器时代

微处理器是一种半导体,具体来说是单个半导体芯片。它是一种作为计算机中央处理器(CPU)的集成电路。它包含数百万个晶体管,集成在单芯片上,执行计算机程序的基本操作。微处理器的工作原理是解码指令然后进行计算。如今,微处理器每秒可执行数十亿次操作。

1971年,英特尔推出了4004,这是首款商业微处理器,到1978年,公司推出了8086处理器。与以往处理器不同,8086能够处理更大的数据块,且运行速度更快。8086开启了“x86”处理器家族的诞生,这些处理器至今仍被用于计算机供能。

微处理器的发展通过使个人计算机更强大、更实用,极大地影响了半导体行业。微处理器的出现也为半导体行业开辟了新市场,包括存储芯片和接口电路。从根本上讲,微处理器的发明促进了全球半导体的需求增长。

现代半导体产业

2000年代初,半导体行业继续呈指数级增长,个人计算成为现代生活的主流,随后智能手机推动了对移动处理器的需求。随着技术发展,消费者对更长电池寿命、更高功率和更小设备的需求不断变化,能效成为芯片设计的核心。节能技术如动态电压、睡眠状态和高效晶体管设计通过降低能耗帮助应对技术挑战。

云计算同样影响半导体行业,尤其是在芯片需求方面。随着数据中心的扩展和对专用处理器的需求,能够处理大量数据的内存芯片和实现更快连接的网络处理器变得必不可少。

云计算时代也为半导体行业创造了新市场。亚马逊和Microsoft等公司成为了芯片采购的重要买家。其他云公司开始设计自己的芯片,随着创新的激增以满足需求,新型的内存和存储芯片也被开发出来

如今,人工智能已成为半导体行业的重要参与者。对人工智能驱动硬件的需求达到历史新高,德勤预测到2025年,生成式人工智能芯片的价值将达到1500亿美元。预计未来几年将迎来新的增长周期,Yole Group首席分析师Pierre Cambou预测,到2030年半导体行业将达到1万亿美元市场,这得益于人工智能和机器学习等数字化转型。

截至2025年4月,根据Statista的数据,最大的半导体制造商有:

  • Nvidia
  • 博通
  • 台积电
  • 三星
  • ASML

半导体行业的行业挑战

随着半导体行业的发展,它面临着若干挑战,包括以下几点:

  • 供应链漏洞。半导体行业依赖供应链,而制造业集中在亚洲,供应链可能波动较大。关键材料的供应商数量有限,且设备和材料交货周期较长,需求较高。然而,2026年1月与美国和台湾的贸易协议可能会在一定程度上缓解这种紧张局势。作为协议的一部分,台湾芯片和技术公司将至少投资2500亿美元在美国芯片制造领域,在美国本土生产芯片,台湾则将担保2500亿美元的信贷用于进一步投资。
  • 地缘政治紧张局势。随着制造业转移到海外,任何形式的地缘政治紧张都可能损害该行业。新关税、供应链中断和成本上升正在影响制造商和消费者。美中贸易限制和科技管制正在改变市场动态,并加剧了不确定性。地缘政治紧张局势也体现在半导体主权争夺和出口管制法规的加强中。
  • 环境挑战。半导体制造涉及高能耗。据麦肯锡公司称,一个典型的半导体制造厂一年内消耗的电力相当于5万户家庭。生产还涉及大量的用水和化学废物管理。极端天气条件还可能扰乱制造并损害全球半导体芯片供应链。

关键时间点突破

1958 年集成电路的诞生:1958年,杰克.基尔比将几个锗晶体管芯片粘在一个锗片上,并用细金丝将这些晶体管、电阻、电容集成在一块锗片上连接起来,制成了世界上第一块集成电路。1959 年,仙童半导体公司的罗伯特.诺伊斯引进 “平面工艺” 进行金属互连,利用氧化层上的铝膜进行器件间互连,这是现代IC制造工艺的关键基础(光刻、扩散、金属互连),推动了集成电路的商业化发展。基尔比和诺伊斯都被公认为IC之父(基尔比获2000年诺贝尔物理学奖,诺伊斯因早逝未得)。

1960年MOSFET 的发明:1960 年,贝尔实验室的姜大元、约翰·阿塔拉和道格拉斯·凯恩成功制造出稳定、可工作的MOSFET(尤其是P沟道)。MOSFET 具有高集成度、低功耗等优势,成为半导体集成电路的主流技术,奠定了现代微电子技术的基础。

1963年CMOS 电路发明 (RCA):美国无线电公司的弗兰克·万拉斯团队发明了互补金属氧化物半导体电路。CMOS利用成对的N型和P型MOSFET,在静态时功耗极低,只在开关瞬间有功耗。这解决了MOSFET早期功耗相对较高的问题

1965年摩尔定律的提出:1965 年,时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的戈登?摩尔发现,每个新芯片大体上包含其前一个芯片两倍的容量,每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的 18-24 个月内,即摩尔定律。该定律为半导体产业的发展提供了明确的方向和目标,推动了半导体技术的持续快速进步。

1970年第一块商用 DRAM (动态随机存取存储器) - Intel 1103诞生:英特尔推出容量为1Kb (1024位) 的1103 DRAM芯片。开启了存储器产业的辉煌时代。

商用微处理器的诞生:20 世纪 70 年代初,英特尔公司制成 4004 微处理器系列。这是第一个微处理器,它用 P 沟道 MOS 工艺制成,标志着半导体产业进入微处理器时代,开启了个人计算机和信息技术革命的序幕。

1987年:台积电 (TSMC) 成立: 张忠谋在台湾创立全球第一家专业集成电路制造服务公司(纯晶圆代工厂)。 开创了Fabless (无晶圆厂设计公司) + Foundry (晶圆代工厂) + OSAT (封测厂) 的分工模式,颠覆产业模式!

1993年FinFET 晶体管概念提出 (加州大学伯克利分校):胡正明教授团队提出FinFET(鳍式场效应晶体管)概念。为了应对平面MOSFET在20nm以下工艺遇到的严重短沟道效应和漏电问题。FinFET通过将沟道竖立起来(鳍片)实现三栅或全环绕栅结构,显著增强栅极对沟道的控制能力。成为22/16/14/10/7nm等先进工艺的主流晶体管结构。

MEMS 技术兴起:20 世纪 90 年代后,MEMS 技术以半导体敏感器件和集成电路微细加工技术为基础而兴起,加上互联网和射频技术的参与,物联网应运而生。这拓展了半导体产业的应用领域,使其在传感器、微机电系统等领域得到广泛应用。

2010年代至今:先进封装技术的崛起:2.5D封装 (如TSV硅中介层、CoWoS)、3D封装 (如SoIC, Foveros) 等技术的发展和应用。成为“超越摩尔定律”的重要途径。