近日，全球知识产权与科技信息分析的权威机构科睿唯安（Clarivate）正式揭晓2026年度“全球百强创新机构（Top 100 Global Innovators 2026）”榜单。作为国内存储芯片产业的领军者，长鑫科技凭借在DRAM领域持续深耕的研发实力与雄厚的专利积淀，首次跻身该榜单，同时也是本次7家中国大陆上榜企业中，唯一一家专注于半导体存储领域的企业，彰显了国产存储芯片的创新底气。
自2012年起，科睿唯安“全球百强创新机构”榜单便以严苛的多维度评估标准，成为全球科技行业创新能力的重要参照。该榜单围绕技术影响力、创新投资力度、全球化布局及独特性等核心维度，全面考量企业的综合创新水平，既关注专利的数量规模、全球布局及引用授权质量，也重视技术创新对产业升级与社会发展的实际赋能，是全球公认的企业创新实力“试金石”，上榜企业均为各自领域引领全球技术迭代的核心力量。此前，华为、腾讯等国内龙头企业已多次登榜，而长鑫科技的首次入围，成功填补了中国大陆半导体存储领域在该榜单的空白，标志着国产存储芯片创新能力获得国际主流认可。
本次与长鑫科技携手上榜的中国大陆企业，还涵盖腾讯、华为、京东方、宁德时代、中兴通讯、TCL科技等，覆盖信息通信、显示面板、新能源、人工智能等关键赛道，勾勒出中国硬科技产业的创新群像。这一格局不仅印证了中国科技企业创新实力与综合竞争力的稳步攀升，更体现了国际市场对中国核心科技领域发展潜力的高度认可与充分信心。
专利与性能双优 长鑫科技筑牢存储创新硬壁垒
科睿唯安在榜单解读中明确，长鑫科技的上榜是因其专注于DRAM存储技术的自主研发与创新，为全球电子产业链提供关键支撑。公开资料显示，长鑫科技目前是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，截至2025年6月30日，已累计斩获5589项境内外专利，专利资产实现数量与质量的双重提升，为技术创新筑牢根基。
持续的创新投入已成功转化为强劲的产品竞争力。在长鑫科技布局之前，国内DRAM核心技术领域长期处于空白状态。2019年9月，长鑫科技推出首款自主研发生产的8Gb DDR4产品，成功实现国产DRAM“从零到一”的历史性突破；此后，企业持续加速产品迭代，推出的多款产品均填补了国内市场空白。当前，长鑫科技最新推出的LPDDR5X及DDR5两款产品，性能已全面跻身国际领先行列：其中LPDDR5X系列产品速率突破10667Mbps，较上一代产品提升66%，可充分满足高端智能手机、平板电脑等移动终端对高速传输、低功耗的核心需求；DDR5产品速率高达8000Mbps，单颗最大容量达24Gb，广泛适配个人电脑、服务器及数据中心等多元应用场景，彰显了国产存储芯片的硬核实力。
冲刺科创板，长鑫科技赋能国产存储产业高质量进阶
此次长鑫科技跻身全球创新百强，被业内视为国际市场对中国半导体存储企业技术实力的重要肯定，也折射出国产存储芯片自主化进程取得阶段性重大突破。目前，长鑫科技正全力推进科创板IPO进程，2025年12月30日，其IPO申请已正式获得上交所受理。根据招股书披露，此次拟募集的资金将重点投向DRAM领域关键技术升级与产能扩充，进一步夯实产品竞争力，提升市场供给能力。
研发投入的持续加码，是长鑫科技保持创新活力的核心支撑。2022年至2025年上半年，长鑫科技累计研发投入超188亿元，占同期累计营业收入的33.11%，其中2025年上半年研发费用率达23.71%，大幅高于行业同期平均水平。在竞争日趋激烈的全球DRAM赛道，长期稳定的研发投入是企业构建竞争壁垒、形成良性技术创新循环、持续提升核心竞争力的关键。作为国产DRAM产业的“链主”企业，长鑫科技不仅为国内终端产业提供了稳定可靠的国产存储芯片解决方案，更有效带动上下游产业链协同发展，推动整个产业的能力升级。
业内人士分析认为，当前全球存储芯片市场格局正处于深度重塑阶段，叠加人工智能算力需求爆发的行业红利，长鑫科技入选全球创新百强，不仅为其IPO进程注入强劲动力，更成为国产半导体产业创新发展的标杆。随着长鑫科技成功上市后持续加大研发投入、推进产品迭代，其IDM模式有望进一步带动上下游产业链协同创新，推动中国存储芯片产业从消费大国向创新型产业集群转型，为全球半导体产业发展注入中国力量，书写国产存储芯片的高质量发展新篇章。
