存储器市场缺货潮持续发酵且范围不断扩大，供应链端消息显示，国际存储原厂正加速将产能向服务器市场倾斜，消费电子、汽车等相关应用市场由此成为受影响的主要领域。有消息透露，武汉一家本土 ＮＡＮＤ 闪存厂商计划调整产能布局，将５０％的产能转向ＤＲＡＭ内存芯片制造；同时该企业还将与国内存储封测企业展开合作，针对人工智能计算场景，联合研发并生产高带宽内存（ＨＢＭ）产品。
多位半导体制造领域专家及行业分析师对此表示，ＤＲＡＭ与ＮＡＮＤ闪存在底层物理架构、制造工艺以及资本投入规模上存在显著差异，这家厂商此番跨品类布局的举措，实质上相当于从零起步攻坚ＤＲＡＭ技术。作为半导体产业中技术壁垒最高、研发难度最大的芯片品类之一，ＤＲＡＭ内存芯片的研发制造难度并不亚于ＣＰＵ、ＧＰＵ等逻辑芯片。回顾存储产业的发展历程，三星、美光、ＳＫ海力士这三大存储巨头，均是先在ＤＲＡＭ领域建立起绝对的技术统治地位，再凭借技术优势“降维”切入 ＮＡＮＤ 闪存市场。
这种 “先攻克ＤＲＡＭ，再布局ＮＡＮＤ”的发展路径并非偶然，而是行业技术规律的体现。业内普遍认为，ＤＲＡＭ在技术要求、工艺精度等方面的标准远高于ＮＡＮＤ闪存，掌握高阶ＤＲＡＭ技术后向下布局ＮＡＮＤ 闪存，属于顺理成章的业务拓展；而反观纯ＮＡＮＤ闪存厂商逆向突破ＤＲＡＭ技术壁垒的尝试，在整个半导体产业发展史上，至今尚无成功的案例可循。
ＮＡＮＤ与ＤＲＡＭ技术壁垒悬殊 产线转换近乎新建工厂
尽管ＮＡＮＤ与ＤＲＡＭ同属存储芯片，但产品功能与工作原理截然不同： ＤＲＡＭ属于内存，与ＣＰＵ等计算单元直接连接、直接传输ＣＰＵ所需的数据，用于临时存储，属于易失性存储，即断电后数据丢失； ＮＡＮＤ属于外存，不与ＣＰＵ直连，主要用于长期存储大量文件，属于非易失性存储。 由于在计算体系中ＤＲＡＭ里核心的ＣＰＵ更近，因此性能要求也更高：ＤＲＡＭ的读写速度大约是ＮＡＮＤ的３０００倍，其单位单价也比ＮＡＮＤ更高。
在当前的摩尔定律节点上，两者的技术演进路线已发生本质分歧。ＮＡＮＤ走向垂直堆叠，核心挑战在于如何垂直堆叠更多的层数（如２３２层或更高），类似于建筑工程中的摩天大楼建设。 ＤＲＡＭ走向微缩，ＤＲＡＭ的演进仍主要依靠光刻技术，其核心挑战在于如何在极微小的电容器中保持电荷，类似于在一颗大米上雕出《清明上河图》。
这意味着，现有的ＮＡＮＤ生产线无法简单地通过“软件升级”或“部分改造”来生产ＤＲＡＭ。行业数据显示，两条产线的设备通用性可能低于５０％。将一家ＮＡＮＤ晶圆厂转换为ＤＲＡＭ工厂，在资本支出效率上极不划算，几乎等同于新建。
ＤＲＡＭ新玩家难跨技术与商业两道坎
针对传闻中提到的“工程样品”，专业分析师警告称，不应过度解读样品的意义。
在半导体行业，“实验室样品”与“商业量产”之间存在巨大的鸿沟，通常被称为“良率死亡之谷”。ＤＲＡＭ作为一种对缺陷密度极度敏感的器件，其良率爬坡周期通常长达数年。
此外，目前的ＤＲＡＭ市场是一个高度成熟的寡头垄断市场（Ｏｌｉｇｏｐｏｌｙ）。对于新进入者而言，最大的风险不仅在于技术，更在于商业逻辑：用ＮＡＮＤ业务相对较薄的利润率，去支撑ＤＲＡＭ研发所需的高昂现金流消耗，这在财务模型上被视为高风险策略。 虽然全球供应链多元化的需求日益迫切，但半导体制造的物理规律不会因此改变。
当下ＤＲＡＭ领域的工艺体系层层递进，专利壁垒更是构筑起坚实防线，市场流传的相关传闻，显然低估了从ＮＡＮＤ领域跨向ＤＲＡＭ赛道所需的深层工程积淀与技术攻坚力度。对于资本市场的投资者和产业领域的观察者而言，清晰甄别企业在ＤＲＡＭ领域的早期实验性探索与具备实际落地性的产能转移，是做出客观判断的关键所在。半导体行业本就是高度专业、分工精细的赛道，深耕核心领域、锻造专属技术壁垒的专业能力，依旧是衡量企业核心竞争力的核心标尺，所谓的跨界布局，终究绕不开“术业有专攻”的行业本质。
