三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元 预计明年Q1量产
三星半导体存储芯片项目于2012年成功入驻西安高新区，主要生产 V－NAND 闪存芯片，一期项目计划投资金额为70亿美元.
三星
三星3nm工艺领先台积电1年领先Intel 3年 未来进军1nm
三星、台积电也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工艺了，其中在3nm节点上台积电也投资了200亿美元建厂，只不过他们并没有详细介绍过3nm工艺路线图及技术水平。
三星半导体存储芯片项目于2012年成功入驻西安高新区，主要生产 V－NAND 闪存芯片，一期项目计划投资金额为70亿美元.
三星、台积电也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工艺了，其中在3nm节点上台积电也投资了200亿美元建厂，只不过他们并没有详细介绍过3nm工艺路线图及技术水平。