存储芯片行业展开新一轮技术升级竞争
几家逻辑IC厂商之间的竞争使得7nm、5nm、3nm 制造工艺尽人皆知。但是人们不应忽视存储芯片厂商间的技术之争同样极其激烈:3D NAND堆叠已经上看128层,DRAM工艺微缩已达1z(12-14nm),3D
几家逻辑IC厂商之间的竞争使得7nm、5nm、3nm 制造工艺尽人皆知。但是人们不应忽视存储芯片厂商间的技术之争同样极其激烈:3D NAND堆叠已经上看128层,DRAM工艺微缩已达1z(12-14nm),3D
近日,由深圳市宝安区人民政府主办、深圳市宝安区工业和信息化局承办,深圳市物流与供应链管理协会执行承办为期三天的2019宝安产业博览会正式开幕,本届宝安产业发展博览会在全
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)2018年全球SSD模组厂自有品牌在渠道市场的出货量排名调查显示,2018年全球渠道SSD出货量约8100万台水平,较2017年成长近50%,其中前十大模组厂占市
半导体封测大厂南茂第4季业绩可望较第3季成长,毛利率可维持第3季水准,第4季存储器封测成长幅度可高于面板驱动IC封测,明年整体业绩表现可较今年好。南茂董事长郑世杰昨天表示
才与台积电进行专利诉讼官司和解,并签订10年交互授权协议的晶圆代工大厂格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布,与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器(HBM2E)运用于格芯最近宣布的12LP