三星发表首个12层3D-TSV封装技术 将量产24GB存储器
该技术被认为是大规模生产高性能芯片最具挑战性的封装技术之一,因为它需要精确的定位才能通过60,000多个TSV孔的三维结构垂直互连12个DRAM芯片,且厚度只有头发的二十分之一。Sour
该技术被认为是大规模生产高性能芯片最具挑战性的封装技术之一,因为它需要精确的定位才能通过60,000多个TSV孔的三维结构垂直互连12个DRAM芯片,且厚度只有头发的二十分之一。Sour
美光科技已经流片第一批第四代3D NAND存储芯片,它们基于美光全新的RG架构。该公司有望在2020年生产商用第四代3D NAND内存,但美光警告称,使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用,因
国内某机构设立了户外气象监测站,其方案商通过与BIWIN佰维团队的沟通协作,最终实现了一种满足宽温工作、持续高性能读写、支持断电保护等特性的数据采集存储解决方案。背景介绍
DRAM 大厂南亚科本周将公告 9 月与第 3 季营收,由于第 3 季旺季效应优于预期,南亚科已上调位元销售量季增幅至逾 25%,外资看好,南亚科 9 月营收将较 8 月持续走扬,第 3 季营收上看
紫光集团官方消息显示,9月27日, 成都紫光集成电路产业基金 设立启动会在四川省成都市天府新区举行。活动上,西藏紫光投资基金董事长郑铂代表紫光集团与成都空港兴城投资集团、