三星宣布推出HBM Flashbolt DRAM 2020年中投产
韩国存储器大厂三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高宽带）DRAM。这是第3代HBM技术，未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一
DRAM
存储器价格两样情，NAND涨势更胜DRAM
尽管目前市场担心武汉冠状病毒疫情将影响今年首季行情，但业内人士认为存储器价格涨势仍然可期。咨询机构集邦科技指出，尽管目前疫情正严重，位于中国境内的DRAM与NAND Flash存储器
打造国内最大高端DRAM测试装备研发中心 深圳再添芯动力
1月18日，深圳航天科创公司与DRAM测试服务企业深圳皇虎、智能制造高新技术企业光彩凯宜在深圳航天大厦举行了共建航天DRAM测试装备研发中心及测试服务中心项目签约仪式。为把握国内
南亚科李培瑛：已成功自主研发10纳米级DRAM新型存储器技术
针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向，李培瑛则是表示，南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，未来进入10纳米制程技术
TrendForce：三星跳电事件激励买方预期性补货，1Q20 DRAM合约价起涨
集邦咨询再次修正2020年第一季DRAM合约价格预测，由原先的「大致持平」调整为「小涨」，价格正式提前翻转向上。