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直面第三代半导体痛点 多位重磅专家齐聚深圳

第三代半导体以碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌(ZnO)等具有宽禁带(Eg>2.3eV)特点的材料为主,具备耐高压、耐高温、低损耗等特性,符合当前功率半导体器件的应用需求,正在逐步成

千亿市场,第三代半导体技术从何突破?

2023’中国电子热点解决方案创新峰会是以“新电源·智能域·赋能‘芯’生态”为主题,将汇聚2000+上下游合作商,40+方案提供商轮番演讲,20+专家现场探讨,涵盖8个年度热点话题,携手