格芯推出基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM 格芯昨日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。 eMRAM 存储器 2020-02-28
冲10纳米制程 南亚科今年资本支出年增逾31% DRAM厂南亚科昨(26)日召开董事会,通过今年资本支出预算案,以不超过92亿元(新台币,下同)为上限,与去年资本支出相较之下,增幅达31.4%,其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米 存储器 2020-02-27