存储芯片行业展开新一轮技术升级竞争
几家逻辑IC厂商之间的竞争使得7nm、5nm、3nm 制造工艺尽人皆知。但是人们不应忽视存储芯片厂商间的技术之争同样极其激烈：3D NAND堆叠已经上看128层，DRAM工艺微缩已达1z（12-14nm），3D
存储芯片
新一代存储芯片竞争正酣，中国应如何做？
近期，美光、三星、SK海力士、英特尔等多数存储厂商开始看好明年市场复苏前景，纷纷加大新技术工艺的推进力度，希望在新一轮市场竞争中占据有利地位。专家指出，随着云计算、人
存储芯片领域 中国迎来打破美日韩垄断关键一战
港媒称，紫光集团旗下长江存储近日宣布，已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND），容量为256Gb，以满足固态硬盘（SSD）嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是
芯片国产化之路 ICMAX存储器能否成为突破口
从原始的结绳记事，到现在的存储器，记录变得越来越简便，生活瞬间在一次次的记录中成为永恒，而更多的记录，便意味着需要更多的存储空间。回首十多年的存储器技术发展，从磁
又一座存储芯片工厂！紫光集团DRAM基地落户重庆
继6月底宣布组建DRAM事业群后，日前紫光集团DRAM开始落地工厂建设。8月27日，重庆市政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发