当AI浪潮席卷全球，海量数据成为驱动智能世界的“新石油”，一场由技术革命引领的“存储超级周期”已然来临。据Omdia预测，全球DRAM市场规模将从2024年的约976亿美元飙升至2029年的2045亿美元，年均复合增长率高达近16%。在这一由AI数据中心与智能终端驱动的洪流中，DRAM已从系统“幕后”走向“台前”，成为衡量一国半导体产业竞争力的关键标尺。

DRAM VS NAND：为何DRAM是更高难度的“芯片明珠”？

在存储芯片的两大主力——DRAM与NAND之间，存在根本性的技术鸿沟。DRAM为“高速数据交换”而生，其每个存储单元都由一个晶体管和一个电容构成，相当于在纳米尺度为每个比特数据建造一个需持续供电、时刻刷新的“独立单间”。这种结构对工艺精度要求达到原子级别，任何微小缺陷都可能导致电荷泄漏与数据丢失，技术难度极高。

相比之下，NAND的结构则简单许多。其存储单元为单一的浮栅晶体管，更像搭建存储数据的“乐高积木”，通过3D堆叠提升容量是其主要技术路线。尽管NAND在堆叠层数上不断突破，但其本质仍是面向非易失性存储，响应速度远不及DRAM，也无法满足AI实时计算对带宽的极致要求。

正是这种原理上的“先天差异”，使DRAM在制造难度上显著高于NAND，堪称“芯片皇冠上的明珠”。也正因如此，DRAM与AI算力形成深度绑定。其高阶形态HBM通过3D堆叠与存算一体架构，有效突破“存储墙”，成为AI算力基础设施不可或缺的基石。

多重壁垒：DRAM产业的护城河为何如此森严？

除了技术本身的复杂度，DRAM产业还面临着难以逾越的“三重封锁”：国际巨头三星、SK海力士和美光凭借数十年积累，已构筑起密不透风的专利高墙，使后发者步步艰难，良率提升完全依赖长期的工艺摸索；同时，这座先进晶圆厂动辄需百亿美元投资，且必须持续投入以跟上制程微缩的竞赛节奏，堪称典型的资本密集型产业；此外，高端市场的认证周期漫长、客户黏性极强，形成了深厚的供应链壁垒。正因如此，全球DRAM市场长期维持着“三足鼎立”的稳定格局，新玩家的破局难度极大。

DRAM与NAND技术原理迥异，且DRAM工艺门槛远高于NAND，技术积累与研发路径难以在不同存储技术间迁移，因此，从NAND领域转向DRAM生产几乎不可行。DRAM和NAND作为存储产业两大支柱，在产业格局上泾渭分明，两者之间几乎不存在相互转换或直接竞争的可能性。

战略价值：DRAM是数字经济的算力基石

作为数字经济的“算力基石”，DRAM是AI算力体系的关键支撑。中国作为全球最大电子产品制造国与消费国，对DRAM需求旺盛。据预测，2025年中国DRAM市场规模将达2517亿元，这为本土产业链成长提供了土壤。

纵观全球DRAM市场，极高的资源与技术壁垒使得该领域长期由少数巨头主导。目前，长鑫存储被视为国内极少数在技术与规模化层面，能够切入主流竞争的企业，成为中国在全球DRAM产业竞争中不可或缺的关键力量。

在此背景下，长鑫存储的发展进程已成为观测国产DRAM发展的关键指标。作为产业龙头，其规模化量产为本土设备与材料企业提供了至关重要的“验证窗口”与“应用生态”，正持续牵引上游供应链实现协同突破。这无疑是构建安全可靠的国产芯片产业链中不可或缺的一环。

推动国产DRAM产业，已不仅是商业竞争，更是关乎中国在全球半导体产业竞争中深度与广度的征程，影响到未来数字经济的根基与算力主权的归属。