芯动态|三星电子宣布开始量产16GB LPDDR5 DRAM芯片
2020年2月25日消息，三星电子宣布，已开始在韩国京畿道平泽市的工厂批量生产业界首款用于下一代高级智能手机的16GB LPDDR5移动DRAM芯片。
DRAM
DRAM及NAND Flash厂营收排名；粤芯加快启动二期建设
最近，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了2019年第四季全球DRAM厂自有品牌内存及NAND Flash品牌厂最新营收排名。
TrendForce：2019年第四季量增抵销价跌影响，DRAM产值较前季近持平
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，经过2019年近三个季度的调整，各终端产品的DRAM库存在第四季普遍回归正常水平，加上2020年DRAM供给增幅有限，采购端开始提前拉货。
DRAM跌价与新制程开发，华邦电2019年第4季盈转亏
存储器大厂华邦电7日召开法说，并公布2019年第4季及2019年全年财报。华邦电指出，受到DRAM价格下滑的影响，另外还有本身25纳米新制程开发成本高等因素的加乘下，2019年第4季单季营运
三星宣布推出HBM Flashbolt DRAM 2020年中投产
韩国存储器大厂三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高宽带）DRAM。这是第3代HBM技术，未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一