存储芯片缺货潮愈演愈烈,涨价效应正从存储芯片向产业链上下游蔓延。据台湾经济日报消息,受益于DRAM与NAND Flash大厂冲刺出货,力成、华东、南茂等封测厂商订单激增,产能利用率已接近满载。目前这些厂商已陆续上调封测价格,涨幅约为30%。作为存储产业链的关键配套环节,封测行业的订单爆满与价格普涨形成强烈传导效应,清晰印证整个存储行业的高景气度已全面显现,供需紧张的市场格局正为产业链核心企业带来显著红利。
与此同时,资本市场的杠杆资金正带着近十年最旺盛的热情涌入硬科技赛道。数据显示,2025年全年新开两融账户达154.21万户,创下近十年最高纪录,较2024年增幅超52%,较2018年增长近3.8倍。最为关键的是,资金流向呈显著的“硬科技”导向,半导体、硬件设备、电气设备等高端制造业成为融资净买入的核心赛道,资金配置与国家产业升级方向高度契合,展现出资金对优质核心资产的坚定偏好,也为半导体领域优质企业的资本化进程铺垫了良好的市场环境。
在此背景下,国内半导体行业IPO热潮持续升温,2026年以来多家核心企业密集推进资本化进程。壁仞科技、天数智芯先后在港交所挂牌上市,豪威集团、兆易创新于本周登陆港交所完成“A+H”布局,紫光国芯启动上市辅导,行业资本化节奏显著加快。其中,最被市场关注的莫过于踩准“存储超期周期”的国产DRAM标杆长鑫科技。据悉,长鑫科技于2025年7月启动IPO,并已在12月30日以首单“预先审阅制”方式披露其申报及问询情况,IPO推进速度在当下硬科技扎堆竞速的新股市场中可谓一骑绝尘。这背后不仅是其“国产存储芯片第一股”的光环,更是资本市场对稀缺核心标的的关注。目前市场增量资金的加速涌入也为其IPO创造了极为有利的增量资金环境与价值认可基础。
天时地利:行业景气与资本聚焦的双重驱动
如果说存储行业的高景气度是长鑫科技IPO的“天时”,那么资金向硬科技赛道的集中涌入则构成了关键的“地利”与“人和”。
当前存储芯片供需紧张的格局,直接带动DRAM产品量价齐升,而长鑫科技作为国内DRAM领域的领军企业,无疑是这一轮行业红利的核心受益者。长鑫科技招股书显示,2025年1-9月公司营收已达320.84亿元,同比增长近100%,2022年至2024年主营业务收入复合增长率超72%。长鑫科技预计2025年全年净利润将实现20亿元至35亿元的正向增长,扣非归母净利润预计在28亿元至30亿元之间,实现根本性的盈利反转。这一业绩增长态势与行业高景气度形成精准共振,为其IPO奠定了坚实的业绩基础。
而资本对硬科技赛道的押注与长鑫科技的战略地位高度契合。作为中国存储领军企业,长鑫科技IPO进程承载着国产存储自主化的战略使命,与“十五五”时期加快高水平科技自立自强同频共振。长鑫科技科创板上市申请于2025年12月30日获受理,并成为科创板试点预先审阅机制以来的首单获受理项目,从审核进程的高效推进,也可窥见资本市场对处于战略要塞领域硬科技投资标的的急切渴求。
值得一提的是,长鑫科技披露招股书次日(12月31日)开盘,与长鑫相关的存储芯片概念股(如合肥城建、上峰水泥、深科技、雅克科技等)以及半导体设备/材料股(如至纯科技、上海新阳、艾森股份等)均出现明显上涨,部分个股涨停。市场端快速反馈也充分印证长鑫科技以IDM模式的“链主”企业地位对整个产业链的积极带动,可以预见长鑫科技登陆资本市场后将为整个产业带来充分的提振。
稀缺标的:从技术空白到全球DRAM重量级选手
作为国内唯一具备DRAM设计与制造能力的企业,长鑫科技在国产存储产业链中占据着战略核心地位,填补了国产DRAM产业“从0到1”的空白。
DRAM作为电子设备核心内存,广泛应用于手机、电脑、服务器等领域,是半导体产业中技术壁垒最高、资本密集度最大、周期性最强的细分领域之一,全球市场长期被三星、SK海力士、美光三家高度垄断,是国产芯片供应链中“卡脖子”最严重的环节之一。在此背景下,长鑫科技的存在具有极强的不可替代性,不仅承载着国产存储从工程化到产业化的关键任务,更在供应链安全背景下,成为保障下游众多关键产业安全与韧性的战略资源。
作为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业,长鑫科技不仅深度受益于行业高景气度带来的量价齐升红利,更凭借持续的技术突破与产能提升,在全球存储格局重构的浪潮中抢占先机,成为国产存储自主化进程的关键力量。招股书显示,按照产能和出货量统计,长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商,2025年第二季度全球市场份额提升至3.97%,打破了全球DRAM市场长久以来的固有格局,成为中国在DRAM领域唯一能够上场“打擂台”的重量级选手。
跳代研发:产品性能已达国际领先水平
招股书显示,长鑫科技采用“跳代研发”的策略,2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品,实现国产DRAM“从零到一”的突破;此后快速推进产品迭代,2025年年底先后推出最新产品LPDDR5X和DDR5:LPDDR5X系列产品速率更是突破10667Mbps,较上一代提升66%,满足高端智能手机、平板等移动终端对高速率、低功耗的需求;推出首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps,单颗最大容量24Gb,可广泛应用于 PC、服务器及数据中心等领域。LPDDR5X与DDR5产品性能均处于国际领先梯队。
产能布局方面,长鑫科技已在合肥、北京两地建有3座12英寸DRAM晶圆厂,形成稳固的规模化产能基础。根据招股书,2022年至2025年上半年长鑫科技产能利用率从85.45%持续攀升至94.63%。这不仅有助于公司抢占更多市场份额,更能够有效缓解国内DRAM市场的供需缺口,提升国产存储的自给率,为下游产业发展提供稳定可靠的供应链保障。
据业内人士分析,作为国内DRAM产业龙头,长鑫科技上市后不仅能够促进公司自身高质量发展,也能够有效带动国内存储芯片设计企业、EDA厂商、半导体材料厂商、半导体设备及零部件厂商、模组厂商及下游终端应用厂商等产业链核心环节的相关企业协同发展,进一步提升半导体产业链的综合实力。
国金证券预测2026年一季度,存储合约价格预计继续攀升,涨幅将达到30%-40%。从需求端来看,云计算大厂资本支出陆续启动,对应企业级存储需求开始增多,同时消费电子终端补库需求也在加强,持续看好DRAM行业在“量价齐升”周期下的成长潜力。在“超级周期”驱动下,长鑫科技等核心企业能够充分受益于行业涨价,其上市进程,不仅是单一企业融资或产能扩张,更是推动DRAM产业由“点状突破”到“体系化推进”的关键引擎,为产业链上下游带来协同增长机遇。
