初创公司 Floadia 开发了每单元 7 位闪存芯片原型,性能超过AI加速器

2021-12-15 11:47 来源:半导体世界

国外媒体报道,Floadia 公司通过设计存储单元结构和控制方法,开发了一种原型 7 位/单元的闪存芯片,可以在 150 °C下保留模拟数据十年。

初创公司 Floadia 开发了每单元 7 位闪存芯片原型,性能超过AI加速器

现有的存储单元结构,由于电荷泄漏引起的特性变化和变异问题很明显,数据保持时间只有100s左右。

该公司将把内存技术应用到芯片上,以极低的功耗实现人工智能推理操作。该芯片基于称为内存计算 (CiM) 的架构,该架构将神经网络权重存储在非易失性存储器中,并通过让电流通过存储器阵列并行执行大量乘法累加计算。CiM 作为边缘计算环境的 AI 加速器备受关注,因为它可以从内存中读取大量数据,并且比在 CPU 和 GPU 上执行乘法累加计算的传统 AI 加速器消耗更少的功率。

该存储技术基于该公司开发的 SONOS 型闪存芯片,用于集成到微控制器和其他设备中。该公司进行了创新,例如优化电荷捕获层(即ONO 薄膜)的结构,以延长存储7 位数据时的数据保留时间。2个cell的组合最多可以存储8位的神经网络权重,尽管芯片面积很小,但可以实现300TOPS/W的乘累加计算性能,超过现有AI加速器。

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