公司简介： 苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，坐落于江苏省苏州市工业园区纳米城，致力于氮化稼（GaN）外延材料的研发及产业化。为契合产业发展趋势，公司已荣获“苏州工业园区科技领军人才”、“姑苏创新创业领军人才”、“江苏省创新创业领军人才”及第十一批国家“千人计划”,并于2015年度荣获苏州市技术发明一等奖。2013年，晶湛在苏州纳米城建设了一条国际先进的GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2.4万片。公司在该领域已掌握多项核心技术, 拥有自主知识产权，并在国内外申请了多项发明专利，产品技术指标已达到国际领先水平。2014年，苏州晶湛发布了200毫米Si衬底上高压GaN HEMT材料，攻克了Si衬底上高压GaN外延片一直存在的翘曲度大及缓冲层漏电的世界难题，产品技术领先于国际水平。晶湛公司是目前国际上为数不多的氮化镓电力电子材料供应商之一，也是国内唯一一家氮化镓电子材料供应商，可以批量生产200mm GaN-on-Si高压外延材料。此外，晶湛公司还提供性能卓越的GaN-on-SiC,GaN-on-Sapphire外延片，并且可以根据客户需求进行尺寸定制。GaN-on-Si电子电子材料囊括了工业电子、消费电子、太阳能逆变器、电动/混合动力汽车电子等应用领域，拥有广阔的市场前景。