公司简介: 佛山市国星半导体技术有限公司为佛山市国星光电股份有限公司(股票代码:002449)的控股子公司,致力于研发、生产可用于照明、显示、背光的氮化镓基 LED 芯片。公司注册资本 6 亿元人民币,占地面积 32,000 平方米,生产厂房及配套用房面积 53,000 平方米,厂区内设一座四层生产厂房(包括外延区和芯片区)、以及生产辅助的氢气站、氮气站、化学品库等。公司计划投资 25 亿元人民币,引进50条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备,目前已引进20条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备。公司引进了海外具有丰富产业化开发、生产及管理经验的技术管理团队,通过发挥科技团队的专业技术能力和自主创新能力,致力发展成为我国优秀的半导体外延芯片生产企业。
生产、研发、销售:LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品;半导体光电产品技术研究、咨询服务、加工服务;货物进出口、技术进出口(法律、行政法规禁止的项目除外;法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)〓新闻动态
智启鹭岛新光景,茂硕电源城市公共照明LED智能驱动点亮厦门地铁
已广泛应用于厦门地铁各大线路,以其高效、智能、可靠的特性,为地铁站内外照明系统提供强有力的支持。
电装入股Coherent子公司SiC晶圆制造企业Silicon Carbide LLC
SiC(碳化硅)在高温、高频和高压环境下的性能优于传统的Si(硅),作为关键器件的材料而受到关注,这对BEV(电动汽车)系统的功率损耗减少,小型化和轻量化做出贡献。
安全芯片取得重要“入场券” 紫光国微与东软集成达成合作
9月17日,紫光国芯微电子股份有限公司(以下简称 紫光国微 )与沈阳东软系统集成工程有限公司(以下简称 东软集成 )签署战略合作协议,宣布全面深化双方合作关系,在5G应用、信
直面第三代半导体痛点 多位重磅专家齐聚深圳
第三代半导体以碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌(ZnO)等具有宽禁带(Eg>2.3eV)特点的材料为主,具备耐高压、耐高温、低损耗等特性,符合当前功率半导体器件的应用需求,正在逐步成
国产半导体用光刻胶发展新动态
前段时间, 光刻胶 概念在市场上受到关注,作为关键性电子化学品之一,光刻胶是实现半导体材料国产替代的重点领域,那么目前中国本土光刻胶发展现状如何?本土企业的光刻胶产品