公司简介: 江苏华兴激光科技有限公司创立于2016年2月,是一家专业从事半导体外延片制造与加工服务的公司(epiwafer foundry),主要生产以砷化镓(gallium arsenide)、磷化铟(indium phosphide)为基底的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延片。公司采用金属有机化学气相沉积(MOCVD/MOVPE)技术制备不同结构和功能的外延片,经后段芯片与封装工艺制成各种电子器件,广泛应用于光纤通信、激光传感、激光医疗、激光加工等工业领域。公司位于江苏省邳州经济开发区,占地30亩,建筑面积2.3万平方米,其中超净车间面积2000余平方米, 拥有国际一流的化合物半导体材料生长和检测设备。公司拥有包括中国科学院院士、青年千人计划专家、海归博士等一流人才在内的专业技术团队,掌握化合物半导体外延片设计与制备核心技术,已获得多项国家发明专利。目前公司已与中国科学院半导体研究所、清华大学、华东师范大学、丹麦技术大学等国内外著名研究机构与企业开展了长期技术合作。公司秉承“诚信、务实、创新、精准、高效”的企业价值理念,致力成为世界一流化合物半导体材料供应商。我们热诚的欢迎优秀的你们加入到华兴激光的团队,愿你们的到来为我们带来新的活力,我们也将为您提供广阔的发展空间!
半导体外延片、光电子材料、微电子材料、激光产品、半导体设备、光电设备的技术研发、咨询、转让及产品的生产、销售;自营和代理各类商品和技术的进出口业务(除国家限定公司经营或禁止进出口的货物及技术)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动新闻动态
天玑9300生成式AI马上就能用,端侧已落地70亿参数AI大语言模型
为生成式AI而设计,拥有硬件级的生成式AI引擎,可以实现更加高速且安全的边缘AI计算,深度适配Transformer模型进行算子加速,速度是上一代的8倍。
TrendForce集邦咨询: Vision Pro重塑VR/MR市场格局,应用领域从视听娱乐向多元生产力工具拓展
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英诺赛科宽禁带半导体项目完成主体施工
资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的
韩政府将投入1万亿韩元 支持非存储器半导体研发项目
为了提高非存储器半导体竞争力,韩国政府决定在10年间,投入1万亿韩元(约人民币58亿),支持研究开发。
长江存储国家存储器基地项目二期开工
长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设,




